Курсовая работа: Пространственно-временной коммутатор 7x7
Тип микросхемы выбираем по критериям быстродействия и емкости. Быстродействие запоминающего устройства определяется временем выборки адреса:
где Тц =125 мкс - длительность цикла; 
– количество каналов,
которое должно быть коммутировано (в принципе, для работы данного коммутатора
достаточно 
каналов,
однако, чтобы не нарушать типовую структуру коммутатора, с восьмой тракт будем
записывать только нули или единицы).
Емкость запоминающего устройства определяется числом входящих ИКМ трактов и разрядностью передаваемых сигналов. Как уже отмечалось, для реализации варианта пространственно-временного коммутатора 7х7 достаточна емкость 168 слов по 8 бит каждое, однако для расчета принимаем емкость запоминающих устройств в коммутаторе 8х8 (т. к. в данном проекте не производим преобразование частоты, и имеем в параллельном коде 8 битные каналы, из которых 1 бит не несет полезной информации) равную 192 слова по 8 бит.
РЗУ работает с управлением по записи, причем учитывается сквозная нумерация, приведенная в приложении А, номера входящих сдвигаем на 8 позиций (рассматриваем 18 входящий – подразумеваем 10).
РЗУ и АЗУ построены на основе микросхемы КМ185РУ7. Параметры микросхемы, назначение выводов и таблица истинности микросхемы КМ185РУ7 приведены в таблицах 4.4–4.6.
Рис. 4.3. Микросхема КМ185РУ7.
Таблица 4.4
Параметры микросхемы КМ185РУ7
| Информационная емкость | 1024 бит |
| Организация | 256 слов´4 разряда |
| Напряжение питания |
5 В |
| Потребляемая мощность | не более 710 мВт |
| Диапазон температур | -10…+700С |
| Совместимость по входу и выходу | с ТТЛ - схемами |
|
Входное напряжение низкого уровня высокого уровня |
не более 0,8 В не менее 2,1 В |
|
Входное напряжение низкого уровня высокого уровня |
не более 0,45 В не менее 2,4 В |
|
Входной ток низкого уровня высокого уровня |
не более 0,3 мА не менее 0,04 мА |
|
Выходной ток низкого уровня высокого уровня |
не более 8 мА не менее 5,2 мА |
| Время выборки адреса tА(А) | не более 45 нс |
| Время выбора tСS | не более 30 нс |
| Время выборки считывания tА(RD) | не более 40 нс |
| Время выборки сигнала разрешения по выходу tА(СЕО) | не более 30 нс |
| Время установления сигнала записи относительно адреса tSU(А-WR) | не менее 10 нс |
| Время установления сигнала записи относительно входных данных tSU(DI-WR) | не менее 5 нс |
| Длительность сигнала записи tW(WR) | не менее 30 нс |
| Время сохранения адреса после сигнала записи tV(WR-A) | не менее 5 нс |
| Время сохранения входных данных после сигнала записи tV(WR-DI) | не менее 5 нс |
| Время восстановления высокого сопротивления или время восстановления высокого уровня при подключении RL к UCC после сигнала СS tDIS(CS) | не более 30 нс |
| Время восстановления высокого сопротивления или время восстановления высокого уровня при подключении RL к UCC после сигнала СЕО tDIS(CEO) | не более 30 нс |
| Время восстановления высокого сопротивления после сигнала считывания tDIS(RD) | не более 35 нс |
| Время цикла записи tCY(WR) | не менее 45 нс |
5%Таблица 4.5
Назначение выводов микросхемы КМ185РУ7
| Выводы | Назначение | Обозначение |
| 1-7, 21 | Адресные входы | А1–А7, А0 |
| 9, 11, 13, 15 | Входы данных | DI0–DI3 |
| 10, 12, 14, 16 | Выходы данных | DO0–DO3 |
| 17, 19 | Выбор микросхемы | CS1, CS2 |
| 20 | Сигнал запись – считывание | W/R |
| 18 | Разрешение по выходу | CEO |
| 22 | Напряжение питания | UCC |
| 8 | Общий | ОВ |
Таблица 4.6
Таблица истинности микросхемы КМ185РУ7
| CS1 | CS2 | CEO | WR | A0 - A7 | DI0 - DI3 | DO0 - DO3 | Режим работы |
| М | M | X | X | X | X | Roff | Хранение |
| В | Н | X | Н | A | Н | Roff | Запись 0 |
| В | Н | X | Н | A | В | Roff | Запись 1 |
| В | Н | Н | В | A | X | Данные в прямом коде | Считывание |
| В | Н | В | В | A | X | Roff | Запрет выхода |
Примечание: М - любая комбинация уровней, отличная от CS1=В и CS2=Н;
