Курсовая работа: Современные методы изучения вещества просвечивающий электронный микроскоп
2.1 Источники электронов
Обычно используются четыре типа источников электронов: вольфрамовые V-образные катоды, вольфрамовые точечные (острийные) катоды, источники из гексаборида лантана и автоэлектронные источники. В данной главе кратко рассматриваются преимущества каждого вида источника электронов для просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения и их характеристики. К источникам электронов, используемым в электронной микроскопии высокого разрешения, предъявляются следующие основные требования:
1. Высокая яркость (плотность тока на единицу телесного угла). Выполнение этого требования существенно для экспериментов при получении изображений высокого разрешения с фазовым контрастом, когда необходимо сочетать малую апертуру освещения с достаточной величиной плотности тока, что дает возможность точно фокусировать изображение при большом увеличении.
2. Высокая эффективность использования электронов (отношение яркости к полной величине тока первичного пучка электронов), которая достигается за счет малого размера источника. Уменьшение освещаемой области образца снижает его нагревание и тепловой дрейф в процессе экспозиции.
3. Большое время жизни при имеющемся вакууме.
4. Стабильная эмиссия при длительной (до минуты) экспозиции, характерной в микроскопии высокого разрешения.
Идеальной системой освещения для обычного просвечивающего микроскопа высокого разрешения была бы система, позволяющая оператору независимо контролировать размер освещаемой области образца, интенсивность освещения и когерентность пучка. Такие возможности достигаются только при работе с автоэлектронным источником. Однако для большинства лабораторий использование вольфрамового точечного катода является наилучшим компромиссом, приемлемым как по стоимости, так и по рабочим характеристикам для просвечивающей микроскопии высокого разрешения. В настоящее время рассматривается также возможность использования источников из гексаборида лантана. Перспективным является также катод, нагреваемый лучом лазера, яркость которого, как сообщается, в 3000 раз превосходит яркость V-образного катода при эффективном диаметре источника порядка 10 нм. Эти катоды работают при умеренном вакууме (10-4 Тор).
2.2. Система освещения
Образец
Рисунок 6 – Осветительная система современного электронного микроскопа
Система имеет две конденсорные линзы С1 (сильная линза) и С2 (слабая линза). F – катод; W – цилиндр Вепельта; S – мнимый источник электронов, S' и S" – его изображения; СА2 – вторая конденсорная диафрагма. Расстояния U1, U2, V1, V2 являются электронно-оптическими параметрами, тогда как расстояния D1, D2, D3 легко измеряются в колонне микроскопа. [4].
На рис. 6 представлены две конденсорные линзы, входящие в систему освещения электронного микроскопа. Обычно можно осуществить независимое изменение фокусного расстояния этих линз (С1 и С2). Возбуждение первой конденсорной линзы изменяют с помощью регулировочной ручки, называемой иногда "размер пятна". Обычно выбирается такое возбуждение, при котором плоскости S, S' и поверхность образца являются сопряженными, т. е. чтобы сфокусированное изображение источника формировалось на образце (сфокусированное освещение).
Для V-образного катода размер источника приблизительно равен 30 мкм. Для предотвращения нежелательного нагрева и радиационного повреждения образца на нем нужно сформировать уменьшенное изображение источника. Рабочее расстояние D3 также должно быть достаточно большим, чтобы имелась возможность перемещения объектодержателя при смене образца. При использовании одной конденсорной линзы трудно удовлетворить этим противоречивым требованиям – малое увеличение при большом расстоянии D3 – так как для этого необходимо, чтобы расстояние D1 было чрезмерно большим. Поэтому обычно используется сильная первая конденсорная линза С1, служащая для уменьшения изображения источника в 5 – 100 раз, а следующая за первой вторая слабая линза С2 с увеличением около 3 обеспечивает большое рабочее расстояние,
2.3 Коррекция астигматизма
Регулировка стигматора объективной линзы весьма критична для обеспечения высокого разрешения. В некоторых приборах астигматизм регулируется как по направлению, так и по силе, в то время как в других предусмотрена регулировка силы астигматизма в двух фиксированных ортогональных направлениях. Прежде всего следует грубо скорректировать астигматизм с помощью стигматора до получения симметричности кольца Френеля. При работе с высоким разрешением необходимо возможно более точно скорректировать астигматизм, что можно сделать по изображению структуры тонкой аморфной угольной пленки при большом увеличении. Для тщательной корректировки астигматизма на деталях такого изображения размером 0,3 нм необходимы увеличение микроскопа по крайней мере 400 000-кратное и оптический бинокуляр х10. С помощью ручек изменения фокуса и стигма-тора добейтесь минимального контраста, что достигается при использовании ручек наиболее тонкой регулировки. При недофокусировке объектива в несколько десятков нанометров должна быть видна однородная зернистая структура угольной пленки без анизатропии в каком-либо преимущественном направлении. Это – трудная процедура, требующая значительных навыков. Оптическая дифрактограмма позволяет наиболее быстро проверить правильность коррекции астигматизма, и ее использование особенно важно при освоении процедуры корректировки астигматизма. Важны следующие моменты:
1. Глаза должны полностью адаптироваться к темноте. Для этого необходимо провести по крайней мере 20 мин в темноте.
2. Положение и чистота находящихся в поле линзы объективной диафрагмы и охлаждаемой диафрагмы критически влияют на требуемую установку стигматора. Никогда не трогайте ни ту, ни другую диафрагму после корректировки астигматизма до фотографирования изображения. Самое важное, что астигматизм не меняется во времени и его можно скорректировать. Небольшие загрязнения объективной диафрагмы не создают помех, которые нельзя скорректировать с помощью стигматора. Грязная диафрагма, создающая флуктуации поля, является более серьезной помехой. Проверяйте степень загрязнения диафрагмы объектива, смещая ее во время наблюдения изображения. При небольших смещениях диафрагмы не должно наблюдаться сильное ухудшение астигматизма. Чистоту отверстия охлаждаемой диафрагмы можно проверить при том увеличении, при котором она ограничивает поле зрения. Проверку производят небольшим перемещением охлаждаемой диафрагмы, если это возможно, проводя наблюдение при малом увеличении.
3. Ток коррекции астигматизма изменяется в зависимости от типа используемого объектодержателя, ускоряющего напряжения и тока возбуждения объективной линзы. Последний слегка зависит от увеличения, возможно, из-за магнитного взаимодействия линз.
4. Часто встречающейся причиной сильного астигматизма является присутствие кусочка от расколовшегося или частично испарившегося образца в полюсном наконечнике объектива.
5. Нет смысла корректировать астигматизм до тех пор, пока охлаждаемая диафрагма не достигнет температуры жидкого азота и пока резервуар охлаждаемой диафрагмы приходится периодически доливать жидким азотом (лучше с помощью насоса). Астигматизм также быстро появляется, как только жидкий азот испаряется из резервуара, приводя к перемещению диафрагмы по мере ее нагрева. На стабилизацию температуры диафрагмы может потребоваться по крайней мере полчаса с момента начала заполнения резервуара.
О чувствительности изображений высокого разрешения к астигматизму можно судить, проводя наблюдение плоскостей графитизированного углерода в светлом поле с ненаклоненным освещением и при этом регулируя стигматор. Чтобы получить изображения плоскостей решетки, расположенных во всевозможных направлениях, нужно точно скомпенсировать астигматизм по двум направлениям. Легче получить изображение плоскостей решетки одного направления, но оно не обеспечивает контроля точной коррекций астигматизма.
Наконец стоит повторить, что астигматизм нужно корректировать после каждого перемещения диафрагмы объектива.
2.4 Вспомогательное оборудование для обычной просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения
Кроме самого микроскопа имеются различные вспомогательные устройства, дополняющие микроскоп, которые упоминались ранее в настоящей книге. В совокупности все они освещаются в этом параграфе.
1. Масс-спектрометр или манометр парциального давления являются чрезвычайно полезным дополнением к электронному микроскопу. Масс-спектрометр дает полный анализ продуктов загрязнения в микроскопе. В конструкциях некоторых приборов имеются магниты, такой прибор следует располагать с учетом возможного влияния на электронно-микроскопическое изображение.
2. Работая с высоким разрешением, полезно пользоваться балонным осушенным азотом. Микроскоп наполняется сухим азотом всякий раз, когда необходим внутренний ремонт для того, чтобы уменьшить количество водяных паров, проникающих в колонну.
3. Для калибровки увеличения прибора в условиях изменяющейся длины фокуса объективной линзы полезно использовать прибор для измерения тока объективной линзы.
4. Ввиду важности обеспечения термической стабильности при фотографировании темнопольных изображений с длительными экспозициями целесообразно иметь насос для перекачки жидкого азота.
5. Для сдувания с образца пыли или следов средств, оставшихся после чистки камеры пушки микроскопа, всегда полезно иметь резиновую грушу с соплом.
3. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА
Вряд ли остался какой-либо сектор исследований в области биологии и материаловедения, где бы не применялась просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ); это обеспечено успехами техники приготовления образцов.
Все применяемые в электронной микроскопии методики нацелены на получение предельно тонкого образца и обеспечение максимального контраста между ним и подложкой, которая необходима ему в качестве опоры. Основная методика рассчитана на образцы толщиной 2 – 200 нм, поддерживаемые тонкими пластмассовыми или углеродными пленками, которые кладутся на сетку с размером ячейки около 0,05 мм. (Подходящий образец, каким бы способом он ни был получен, обрабатывается так, чтобы увеличить интенсивность рассеяния электронов на исследуемом объекте.) Если контраст достаточно велик, то глаз наблюдателя может без напряжения различить детали, находящиеся на расстоянии 0,1 – 0,2 мм друг от друга. Следовательно, для того, чтобы на изображении, создаваемом электронным микроскопом, были различимы детали, разделенные на образце расстоянием в 1 нм, необходимо полное увеличение порядка 100 – 200 тыс. Лучшие из микроскопов могут создать на фотопластинке изображение образца с таким увеличением, но при этом изображается слишком малый участок. Обычно делают микроснимок с меньшим увеличением, а затем увеличивают его фотографически. Фотопластинка разрешает на длине 10 см около 10 000 линий. Если каждая линия соответствует на образце некой структуре протяженностью 0,5 нм, то для регистрации такой структуры необходимо увеличение не менее 20 000, тогда как при помощи ПЭМ, может быть разрешено около 1000 линий.
Главной целью электронной микроскопии высокого разрешения на сегодняшний день является визуализация деталей ультраструктуры несовершенных кристаллических материалов. В настоящее время не существует других методов, способных давать такую информацию на атомном уровне разрешения или на уровне разрешения элементарной ячейки. Детальное понимание структуры дефектов кристаллов определяет прогресс как в кристаллохимии, так и в области исследования прочности материалов. Используя электронный пучок для управления скоростью протекания химической реакции в кристаллах, можно также почти на атомном уровне изучать движение дефектов при фазовых переходах. Электронная микроскопия высокого разрешения- находит также широкое применение для исследования микроструктуры очень маленьких кристаллов, от которых нельзя получить картину рентгеновской дифракции. В последние годы этот метод широко применяется для исследования минералов и керамических материалов.
Исследования минералов методом реплик начались несколько десятков лет назад. Непосредственно методом просвечивающей электронной микроскопии первыми были изучены слюда и глинистые минералы. Среди первых минералогов, которые использовали электронную микроскопию в своих исследованиях, можно назвать Риббе, Мак-Коннела и Флита [5]. Большое влияние на развитие электронной микроскопии применительно к минералогии оказали работы Мак-Ларена и Фейки (с 1965 г.) и Ниссена (с 1967 г.); программа их исследований была целиком посвящена электро-микроскопическому исследованию минералов. В 1970 г. работы по исследованию лунных материалов методами ТЭМ способствовали возникновению необыкновенного бума в электронной микроскопии минералов, в который наряду с минералогами были вовлечены материаловеды и физики. Полученные ими в течение пяти лет результаты, оказавшие колоссальное влияние на современную минералогию, показали, что электронная микроскопия является очень мощным инструментом в руках ученого. К настоящему времени новые данные внесли весомый вклад в расшифровку строения полевых шпатов и пироксенов, и почти в каждой группе минералов исследования с помощью электронной микроскопии раскрывают ряд неожиданных свойств.
Электронная микроскопия применялась также для определения возраста земных, лунных и метеоритных пород. При этом было использовано то обстоятельство, что во время радиоактивного распада ядра высвобождаются частицы, проникающие в окружающий материал с высокой скоростью и оставляющие видимый "след" в кристалле. Такие треки можно увидеть с помощью электронного микроскопа, используя его в режимах сканирования или на просвет. Плотность треков распада вокруг радиоактивного включения пропорциональна возрасту кристалла, а их длина является функцией энергии частицы. Длинные треки, указывающие на высокую энергию частиц, были обнаружены вокруг включений витлокита в лунной породе; Хатчеон и Прайс приписали этот необычайно длинный трек распаду элемента 244Ро, который из-за короткого периода полураспада к настоящему времени исчез, но еще мог существовать 4 млрд. лет назад. Треки в материале, взятом с поверхности Луны или из метеоритов (рис. 7) [5], дают информацию об эволюции космической радиации и позволяют сделать выводы о возрасте и составе Вселенной.
Высокая плотность треков вызвана наличием энергетически более тяжелых ядер (главным образом Fе) в солнечной вспышке перед образованием метеорита. Примечательна таблитчатчатая структура, обусловленная распадом твердых растворов.
Рисунок 7 – Темнопольная ТЭМ-картина зерна пироксена из метеорита Пезиано
ПЭМ применяется в исследованиях материалов для изучения тонких кристаллов и границ между разными материалами. Чтобы получить изображение границы раздела с большим разрешением, образец заливают пластмассой, делают срез образца, перпендикулярный границе, а затем утоньшают его так, чтобы граница была видна на заостренной кромке. Кристаллическая решетка сильно рассеивает электроны в определенных направлениях, давая дифракционную картину. Изображение кристаллического образца в значительной мере определяется этой картиной; контраст сильно зависит от ориентации, толщины и совершенства кристаллической решетки. Изменения контраста на изображении позволяют изучать кристаллическую решетку и ее несовершенства в масштабе атомных размеров. Получаемая при этом информация дополняет ту, которую дает рентгенографический анализ объемных образцов, так как ЭМ дает возможность непосредственно видеть во всех деталях дислокации, дефекты упаковки и границы зерен. Кроме того, в ЭМ можно снимать электронограммы и наблюдать картины дифракции от выделенных участков образца. Если диафрагму объектива настроить так, чтобы через нее проходили только один дифрагированный и нерассеянный центральный пучки, то можно получать изображение определенной системы кристаллических плоскостей, которая дает этот дифрагированный пучок. Современные приборы позволяют разрешать периоды решетки величиной 0,1 нм. Исследовать кристаллы можно также методом темнопольного изображения, при котором перекрывают центральный пучок, так что изображение формируется одним или несколькими дифрагированными пучками. Все эти методы дали важную информацию о структуре очень многих материалов и существенно прояснили физику кристаллов и их свойства. Например, анализ ПЭМ-изображений кристаллической решетки тонких малоразмерных квазикристаллов в сочетании с анализом их электронограмм позволил в 1985 открыть материалы с симметрией пятого порядка.
3.2 Биологические препараты
Электронная микроскопия широко применяется в биологических и медицинских исследованиях. Разработаны методики фиксации, заливки и получения тонких срезов тканей для исследования в ОПЭМ. Эти методики дают возможность исследовать организацию клеток на макромолекулярном уровне. Электронная микроскопия выявила компоненты клетки и детали строения мембран, митохондрий, эндоплазматической сети, рибосом и множества других органелл, входящих в состав клетки. Образец сначала фиксируют глутаральдегидом или другими фиксирующими веществами, а затем обезвоживают и заливают пластмассой. Методы криофиксации (фиксации при очень низких – криогенных – температурах) позволяют сохранить структуру и состав без использования химических фиксирующих веществ. Кроме того, криогенные методы позволяют получать изображения замороженных биологических образцов без их обезвоживания. При помощи ультрамикротомов с лезвиями из полированного алмаза или сколотого стекла можно делать срезы тканей толщиной 30 – 40 нм. Смонтированные препараты могут быть окрашены соединениями тяжелых металлов (свинца, осмия, золота, вольфрама, урана) для усиления контраста отдельных компонентов или структур.
Биологические исследования были распространены на микроорганизмы, особенно на вирусы, которые не разрешаются световыми микроскопами. ПЭМ позволила выявить, например, структуры бактериофагов и расположение субъединиц в белковых оболочках вирусов. Кроме того, методами позитивного и негативного окрашивания удалось выявить структуру с субъединицами в ряде других важных биологических микроструктур. Методы усиления контраста нуклеиновых кислот позволили наблюдать одно- и двунитные ДНК. Эти длинные линейные молекулы распластывают в слой основного белка и накладывают на тонкую пленку. Затем на образец вакуумным напылением наносят очень тонкий слой тяжелого металла. Этот слой тяжелого металла "оттеняет" образец, благодаря чему последний при наблюдении в ОПЭМ выглядит как бы освещенным с той стороны, с которой напылялся металл. Если же вращать образец во время напыления, то металл накапливается вокруг частиц со всех сторон равномерно (как снежный ком).
3.3 Высоковольтная микроскопия
В настоящее время промышленность выпускает высоковольтные варианты ОПЭМ с ускоряющим напряжением от 300 до 400 кВ. Такие микроскопы имеют более высокую проникающую способность, чем у низковольтных приборов, причем почти не уступают в этом отношении микроскопам с напряжением 1 млн. вольт, которые строились в прошлом. Современные высоковольтные микроскопы достаточно компактны и могут быть установлены в обычном лабораторном помещении. Их повышенная проникающая способность оказывается очень ценным свойством при исследовании дефектов в более толстых кристаллах, особенно таких, из которых невозможно сделать тонкие образцы. В биологии их высокая проникающая способность дает возможность исследовать целые клетки, не разрезая их. Кроме того, с помощью таких микроскопов можно получать объемные изображения толстых объектов.
3.4 Радиационное повреждение
Поскольку электроны представляют собой ионизирующее излучение, образец в ЭМ постоянно подвергается его воздействию. Следовательно, образцы всегда подвергаются радиационному повреждению. Типичная доза излучения, поглощаемая тонким образцом за время регистрации микрофотографии в ОПЭМ, примерно соответствует энергии, которой было бы достаточно для полного испарения холодной воды из пруда глубиной 4 м с площадью поверхности 1 га. Чтобы уменьшить радиационное повреждение образца, необходимо использовать различные методы его подготовки: окрашивание, заливку, замораживание. Кроме того, можно регистрировать изображение при дозах электронов, в 100 – 1000 раз меньших, нежели по стандартной методике, а затем улучшать его методами компьютерной обработки изображений.
4. СОВРЕМЕННЫЕ ВИДЫ ПЭМ
Просвечивающий электронный микроскоп Titan 80 – 300 с атомным разрешением
Современный просвечивающий электронный микроскоп Titan™ 80 – 300 дает изображение наноструктур на суб-ангстремном уровне. Электронный микроскоп Титан работает в диапазоне 80 – 300 кВ с возможностями коррекции сферической аберрации и монохроматичности. Данный электронный микроскоп соответствует жестким требованиям максимальной механической, тепловой и электрической стабильности, так же, как точным юстировкам усовершенствованных компонентов. Титан расширяет разрешающие возможности спектроскопии при измерении запрещенных энергетических зон и электронных свойств и позволяет пользователю получить четкие изображения границ раздела и наиболее полно интерпретировать полученные данные.
JEOL JEM – 3010
300 кВ просвечивающий электронный микроскоп
300-киловольтный аналитический электронный микроскоп высокой точности и сверхвысокого разрешения сконструирован таким образом, чтобы одновременно можно было наблюдать изображение на атомарном уровне и прицельно анализировать образец. В данном микроскопе использовано много новых разработок, в том числе компактная электронная пушка на 300 кВ, осветительная система с пятью линзами.
Использование встроенного ионного насоса обеспечивает чистый и стабильно высокий вакуум.
· Разрешение по точкам: 0,17 нм
· Ускоряющее напряжение: от 100 до 300 кВ
Увеличение:
от 
50 до 
1 500 000
JEOL JEМ – 3000FasTEM
300 кВ просвечивающий электронный микроскоп с полевой эмиссией
Просвечивающий электронный микроскоп, оборудованный электронной пушкой высокой яркости с подогревным катодом на полевой эмиссии, обладающим повышенной стабильностью тока эмиссии. Позволяет непосредственно наблюдать детали атомного строения и анализировать отдельные атомные слои. Электронная пушка с подогревным катодом на полевой эмиссии, более всего подходящая для анализа нанообластей, обеспечивает ток зонда 0,5 нА при его диаметре 1 нм и 0,1 нА при 0,4 нм.
· Разрешение в точке: 0,17 нм
· Ускоряющее напряжение: 100, 200, 300 кВ
Увеличение: от х60 до х1 500 000
JEOL JEМ – 2100F
200 кВ просвечивающий электронный микроскоп с полевой эмиссией
Электронная пушка с полевой эмиссией, обеспечивающая электронный пучок с высокой яркостью и когерентностью, играет ключевую роль в получении высокого разрешения и при анализе наноструктур. Прибор JEM – 2100F является комплексным ПЭМ, оснащенным развитой системой электронного управления различными функциями.
Основные особенности данного прибора:
· Высокая яркость и стабильность электронной пушки с термополевой эмиссией обеспечивает анализ областей наноразмеров при большом увеличении.
· Диаметр зонда меньше 0.5 нм позволяет уменьшить точку анализа до уровня нанометров.
· Новый высокостабильный столик образцов с боковой загрузкой обеспечивает простой наклон, поворот, нагрев и охлаждение, программируемые установки и другое без механического дрейфа.
JEOL JEМ – 2100 LaB6
200 кВ аналитический просвечивающий электронный микроскоп
Позволяет не только получать изображения на просвет и картины дифракции, но и включает в себя компьютерную систему контроля, которая может объединять TEM , устройство получения изображений в режиме сканирования (STEM), энергодисперсионный спектрометр (JED – 2300 T) и спектрометр энергетических потерь электронов (EELS) в любых комбинациях.
Высокое разрешение (0,19 нм при 200 kV на катоде LaB 6 ) достигается благодаря стабильности высокого напряжения и тока пучка, вместе с превосходной системой линз. Новая структура рамы колонны микроскопа мягко уменьшает эффект вибрации прибора. Новый гониометрический столик позволяет позиционирование образца с точностью до нанометров. Компьютерная система контроля микроскопа обеспечивает подключение по сети других пользователей (компьютеров) и обмен информацией между ними.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
До сравнительно недавнего времени в руках минералогов находились два классических инструмента – поляризационный микроскоп и аппаратура для рентгеновской дифракции. С помощью оптического микроскопа мы можем исследовать морфологию и оптические свойства минералов, изучать двойники и ламели, если они по размеру превышают длину волны падающего света. Данные по рентгеновской дифракции позволяют точно определить положение атомов в элементарной ячейке в масштабе 1 – 100 Å. Однако такое определение кристаллического строения дает нам некую структуру, усредненную по многим тысячам элементарных ячеек; следовательно, мы заранее принимаем, что все элементарные ячейки идентичны.
В то же время становится все более очевидной важность структурных деталей, характеризующих минералы в масштабе 100 – 10 000 Å. Диффузные рефлексы на рентгенограммах были интерпретированы как свидетельство существования малых доменов; астеризм, наблюдаемый на лауэграммах, или небольшие значения коэффициентов экстинкции при уточнении структуры, указали на то, что кристаллы несовершенны по своему строению и содержат различные дефекты. Для исследования неоднородностей, размеры которых находятся в указанных пределах, идеальным инструментом является электронный микроскоп. Такие исследования – важный источник геологической информации, характеризующей параметры охлаждения и образования минералов и горных пород или условия их деформации.
В противоположность рентгеновской дифракции, которую начали использовать в минералогии немедленно после ее открытия, электронная микроскопия вначале получила наибольшее развитие и применение в металлургии. После создания промышленных приборов в 1939 г. потребовалось более 30 лет, чтобы электронный микроскоп стал обычным инструментом в минералогии и петрографии.
Преимущество электронной микроскопии состоит в том, что с ее помощью структуры и текстуры можно изобразить в реальном пространстве, и, следовательно, результаты легче визуализировать, чем получить их путем расчета дифракционных картин. Здесь уместно упомянуть о необходимости соблюдать определенную осторожность. В отличие от наблюдений в оптическом микроскопе структуру нельзя увидеть непосредственно через электронный микроскоп. Мы просто наблюдаем контраст, возникающий, например, от поля деформаций вокруг дислокаций, и этот контраст трансформируется в изображение внутри прибора. Электронная микроскопия не заменяет исследований, проводимых методами рентгеновской дифракции. С другой стороны, имеется много примеров, когда данные электронной микроскопии служили основанием для интерпретации рентгеновских данных. Эти две методики идеально дополняют друг друга.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1 Дюков В.Г., Непийко С.А., Седов Н.Н Электронная микроскопия локальных потенциалов./ АН УССР. Ин-т физики. – Киев: Наук. думка, 1991. – 200 с.
2 Кулаков Ю.А Электронная микроскопия. – М.: Знание,1981. – 64 с.
3 Ч. Пул, Ф. Оуэнс Нанотехнологии: Пер. с англ./Под ред. Ю. И. Головина. – М.: Техносфера, 2005. – 336 с
4 Спенс Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения: Пер. с англ./Под ред. В. Н. Рожанского. – М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. Лит.,1986. – 320 с., ил.
5 Томас Г., Горинж М. Дж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов: Пер. с англ./Под ред. Б.К. Вайнштейна – М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1983 – 320с
6 Электронная микроскопия в минералогии: Пер. с анг./Под общей ред. Г.-Р. Венка. – М.: Мир, 1979. – 485с., ил.
